Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，通过硅MOSFET提供诸多优势。这些包括超低输入和输出电容。特性包括零反向恢复，开关损耗降低高达80%，开关节点振铃低，从而降低EMI。

LMG3410R070 GaN功率级提供新的方式，在电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。高密度、高效的拓扑结构，如通过这些优势支持推拉输出电路PFC。一系列独特的特性可简化设计，最大限度地提高可靠性和优化任何电源的性能，是取代传统共源共栅GaN和独立GaN FET的明智之选。这些独特的特性包括一个集成的栅极驱动（支持100V/ns开关，Vds振铃几乎为零），一个100ns限流装置（自防止意外击穿事件）以及一个系统接口信号（具有自我监测能力）。

 

FEATURES

· TI GaN工艺通过加速可靠性应用中的硬开关任务配置文件达标

· 支持高密度电源转换设计

o 通过共源共栅或独立GaN FET提供出色的系统性能

o 低电感8mmx8mm QFN封装，易于设计和布局

o 可调驱动强度，用于开关性能和EMI控制

o 数字故障状态输出信号

o 只需要 12V非稳压电源

· 集成式栅极驱动器

o 零公共源电感

o mHz运行传播延迟为20ns

o 流程可调栅极偏置电压，提高了可靠性

o 用户可调转换率：25V/ns至100V/ns

· 强大的保护功能

o 无需外部保护元件

o 过流保护

o 转换率抑制：>150V/ns

o 瞬态过压抑制

o 过热保护

o 对所有电源轨的UVLO保护

应用

· 高密度工业和消费类电源

· 多级转换器

· 太阳能逆变器

· 工业电机驱动器

· 不间断电源

· 高压电池充电器