安森美半导体C系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器具有业界领先的暗计数率（低至30kHz/mm2），以及出色的击穿电压均匀性 (±250mV)。借助大容量CMOS工艺，在光谱的蓝色部分实现了较高的光子探测效率 (PDE)。这些传感器采用1mm、3mm和6mm尺寸，以及各种微电池尺寸。这些器件采用可平铺的模制引线框架 (MLP) 封装，该封装与行业标准、无铅、回流焊接工艺兼容。C系列还具有独特的快速输出，可用于快速定时应用。

 

FEATURES

· 420nm时PDE大于40%，高达300nm的灵敏度有助于提高UV灵敏度

· 30kHz/mm2的超低暗计数率

· 所有C系列产品均具有出色的击穿电压均匀性 (±250mV)

· 21.5mV/°C的温度稳定性

· 300ps的超快上升时间，独特的“快速输出”端子可产生600ps脉冲宽度

· <30V的偏置电压

· 传感器尺寸：1mm、3mm和6mm

· 传统PMT的固态替代方案，适用于各种应用

· 106的高增益可实现单光子灵敏度

· 业内出色的Vbr均匀性

· 紧凑、坚固的包装

· 可提供带SMA连接器或引脚的评估板以方便评估

应用

· 医学影像

· 危险与威胁

· 3D测距和传感

· 生物光子学与科学

· 高能物理